IMW, International Memory Workshop: memorie 3D NAND a 140 strati entro il 2021

La realizzazione di chip a 140 strati richiede lo sviluppo di materiali con nuove particolari caratteristiche, la produzione di memorie TLC 3D NAND a 90 strati sarebbe già realizzabile aggiornando il processo produttivo passando dagli attuali 60 nm ai 55 nm necessari per garantire una riduzione del 20% dell’altezza di ciascun strato

Via:: Apple

      
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